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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

C4D02120E 

产品描述

Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2A

内部编号

84-C4D02120E

生产厂商

Cree, Inc.

#1

数量:6203
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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C4D02120E产品详细规格

规格书 C4D02120E datasheet 规格书
C4D02120E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
二极管型 Silicon Carbide Schottky
电压 - 直流反向(VR)(最大值) 1200V (1.2kV)
电流 - 平均整流(Io) 5.9A
电压 - 正向(Vf)(最大)@ 1.8V @ 2A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间(trr) 0ns
电流 - 反向漏VR 50µA @ 1200V
电容@ Vr,F 167pF @ 0V, 1MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252-2
包装材料 Tube
安装 Surface Mount
峰值反向电流 50
峰值不重复浪涌电流 18.8
包装宽度 6.25(Max)
PCB 2
最大功率耗散 51700
类型 Schottky Diode
欧盟RoHS指令 Compliant
峰值正向电压 1.8@2A
峰值反向重复电压 1200
最低工作温度 -55
配置 Single
供应商封装形式 TO-252
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
包装长度 7.34(Max)
工作结温度 -55 to 175
引脚数 3
最大连续正向电流 6.9
包装高度 2.39(Max)
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
封装 Tube
电流 - Vr时反向漏电 50µA @ 1200V
安装类型 Surface Mount
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.8V @ 2A
电压 - ( Vr)(最大) 1200V (1.2kV)
热阻 2.9°C/W Jc
电容@ Vr ,F 167pF @ 0V, 1MHz
供应商设备封装 TO-252-2
反向恢复时间(trr ) 0ns
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
标准包装 75
电流 - 平均整流(Io ) 6.9A (DC)
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型 Silicon Carbide Schottky
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
最大二极管电容 167 pF
正向电压下降 1.8 V
产品 Schottky Silicon Carbide Diodes
最大功率耗散 40.5 W
正向连续电流 2 A
最大反向漏泄电流 50 uA
峰值反向电压 1.2 kV
安装风格 SMD/SMT
最大浪涌电流 18.8 A
封装/外壳 TO-252-2
工厂包装数量 75
RoHS RoHS Compliant
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 TO-252
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
整流器类型 Schottky Diode
高峰代表冯电压 1200
冯页次 50
峰值不重复浪涌电流 18.8 A
正向电压 1.8 V
二极管配置 :Single
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max :1.2kV
Forward Current If(AV) :6.9A
Forward Voltage VF Max :1.5V
Forward Surge Current Ifsm Max :18.8A
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Diode Case Style :TO-252
No. of Pins :2
MSL :MSL 1 - Unlimited
Weight (kg) 0.0001
Tariff No. 85411000

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