规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
75 |
二极管型 |
Silicon Carbide Schottky |
电压 - 直流反向(VR)(最大值) |
1200V (1.2kV) |
电流 - 平均整流(Io) |
5.9A |
电压 - 正向(Vf)(最大)@ |
1.8V @ 2A |
速度
|
No Recovery Time > 500mA (Io) |
反向恢复时间(trr) |
0ns |
电流 - 反向漏VR |
50µA @ 1200V |
电容@ Vr,F |
167pF @ 0V, 1MHz |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
TO-252-2 |
包装材料
|
Tube |
安装 |
Surface Mount |
峰值反向电流 |
50 |
峰值不重复浪涌电流 |
18.8 |
包装宽度 |
6.25(Max) |
PCB |
2 |
最大功率耗散 |
51700 |
类型 |
Schottky Diode |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
峰值正向电压 |
1.8@2A |
峰值反向重复电压 |
1200 |
最低工作温度 |
-55 |
配置 |
Single |
供应商封装形式 |
TO-252 |
标准包装名称 |
DPAK |
最高工作温度 |
175 |
包装长度 |
7.34(Max) |
工作结温度 |
-55 to 175 |
引脚数 |
3 |
最大连续正向电流 |
6.9 |
包装高度 |
2.39(Max) |
标签 |
Tab |
铅形状 |
Gull-wing |
封装 |
Tube |
电流 - Vr时反向漏电 |
50µA @ 1200V |
安装类型 |
Surface Mount |
电压 - 正向(Vf) (最大) |
1.8V @ 2A |
电压 - ( Vr)(最大) |
1200V (1.2kV) |
热阻 |
2.9°C/W Jc |
电容@ Vr ,F |
167pF @ 0V, 1MHz |
供应商设备封装 |
TO-252-2 |
反向恢复时间(trr ) |
0ns |
工作温度 - 结 |
-55°C ~ 175°C |
标准包装 |
75 |
电流 - 平均整流(Io ) |
6.9A (DC) |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
速度 |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
二极管类型 |
Silicon Carbide Schottky |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
最大二极管电容 |
167 pF |
正向电压下降 |
1.8 V |
产品 |
Schottky Silicon Carbide Diodes |
最大功率耗散 |
40.5 W |
正向连续电流 |
2 A |
最大反向漏泄电流 |
50 uA |
峰值反向电压 |
1.2 kV |
安装风格 |
SMD/SMT |
最大浪涌电流 |
18.8 A |
封装/外壳 |
TO-252-2 |
工厂包装数量 |
75 |
RoHS |
RoHS Compliant |
工作温度范围 |
-55C to 175C |
包装类型 |
TO-252 |
工作温度分类 |
Military |
弧度硬化 |
No |
整流器类型 |
Schottky Diode |
高峰代表冯电压 |
1200 |
冯页次 |
50 |
峰值不重复浪涌电流 |
18.8 A |
正向电压 |
1.8 V |
二极管配置 |
:Single |
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max |
:1.2kV |
Forward Current If(AV) |
:6.9A |
Forward Voltage VF Max |
:1.5V |
Forward Surge Current Ifsm Max |
:18.8A |
Operating Temperature Min |
:-55°C |
Operating Temperature Max |
:175°C |
Diode Case Style |
:TO-252 |
No. of Pins |
:2 |
MSL |
:MSL 1 - Unlimited |
Weight (kg) |
0.0001 |
Tariff No. |
85411000 |